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2SK1365中文资料

2SK1365图片

2SK1365外观图

  • 大小:251.71KB
  • 厂家:TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
  • 描述:FET, Silicon N Channel MOS Type(for High Speed, High Current Switching, Switching Power Supply)
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.8 欧姆 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:120nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大:90W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装:TO-3P(N)IS
  • 包装:管件

2SK1365供应商

更新时间:2023-04-05 03:11:42
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